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IKW75N60T 600 V IGBT，采用反并聯(lián)二極管，TO-247 封裝
IKW75N60T 600 V IGBT，采用反并聯(lián)二極管，TO-247 封裝
英飛凌的 600 V、75 A 硬開關(guān) TRENCHSTOP? IGBT3，采用在 TO-247中封裝得全額定續(xù)流二極管，由于結(jié)合了溝槽單元和場(chǎng)終止概念，顯著提高了靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能。IGBT和軟恢復(fù)發(fā)射極控制二極管的結(jié)合進(jìn)一步降低了開通損耗。由于開關(guān)和傳導(dǎo)損耗之間實(shí)現(xiàn)了折中方案，因此達(dá)到了較高效率。
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IKW75N60T特征：
●更低的傳導(dǎo)損耗實(shí)現(xiàn)較低的 VCEsat 壓降
●低開關(guān)損耗
●由于 VCEsat 中的正溫度系數(shù)，因此易于進(jìn)行平行開關(guān)
●非常軟且快速恢復(fù)的反平行發(fā)射極控制二極管
●具有高魯棒性、溫度穩(wěn)定的行為
●低電磁干擾輻射
●低柵極電荷
●非常嚴(yán)格的參數(shù)分配
●高效率 - 低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗
●600 V 和 1200 V 的全面產(chǎn)品組合可實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)靈活性
●設(shè)備可靠性高
 
 
IKW75N60T說明：
英飛凌的 600 V、75 A 硬開關(guān) TRENCHSTOP™ IGBT3，采用在 TO-247中封裝得全額定續(xù)流二極管，由于結(jié)合了溝槽單元和場(chǎng)終止概念，顯著提高了靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能。IGBT和軟恢復(fù)發(fā)射極控制二極管的結(jié)合進(jìn)一步降低了開通損耗。由于開關(guān)和傳導(dǎo)損耗之間實(shí)現(xiàn)了折中方案，因此達(dá)到了較高效率。
 
 
 
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