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IKW40N120H3 采用反并聯二極管
IKW40N120H3 采用反并聯二極管
IKW40N120H3 采用反并聯二極管
價格: ¥19.000 - ¥20.000
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IKW40N120H3
IKW40N120H3特征:
●專門設計用于替代在開關頻率低于70kHz的應用中的平面式 MOSFET。
●高效率,低開關損耗
●借助英飛凌卓越的 TRENCHSTOP™ 技術,實現了出色的 VCEsat 行為。
●快速開關行為,低電磁干擾輻射
●針對目標應用的優化二極管,意味著進一步改善開關損耗
●在保持出色的開關行為的同時可以實現低柵極電荷選擇(低至 5Ω)
●短路容量
●提供最高175°C的 Tj
●可帶或可不帶續流二極管的封裝,增加了設計自由度。
 
 
 
IKW40N120H3說明:
高速 1200 V、40 A 硬開關 TRENCHSTOP™ IGBT4,采用TO-247封裝的續流二極管裝,提供開關和傳導損耗之間的折中方案。此產品系列的主要特征是類似 MOSFET 的關斷開關行為,實現了低關斷損耗。
 
電話:+86-755-83681378 83291586 83687442
傳真:+86-755-83687442
移動電話:13424188068 
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