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LTC7891RUFDM#TRPBF 同步降壓控制器
LTC7891RUFDM#TRPBF 同步降壓控制器
LTC7891RUFDM#TRPBF 適用于 GaN FET 的100V、低 IQ 、同步降壓控制器
價(jià)格: ￥80.000 - ￥80.600
庫(kù)存: 3000
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數(shù)量 單價(jià) 折扣
1-99 ￥80.60 ￥0
100-999 ￥80.30 ￥0.3
>=1000 ￥80.00 ￥0.6
        
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LTC7891RUFDM#TRPBF 
LTC7891RUFDM#TRPBF特征：
●針對(duì) GaN FET 全面優(yōu)化的 GaN 驅(qū)動(dòng)技術(shù)
●寬 V輸入范圍：4V 至 100V
●寬輸出電壓范圍：0.8V ≤ V OUT ≤ 60V
●無(wú)需鉗位、鉗位或自舉二極管
●內(nèi)部智能自舉開關(guān)可防止高側(cè)驅(qū)動(dòng)器電源過(guò)度充電
●內(nèi)部?jī)?yōu)化、智能接近零死區(qū)時(shí)間或電阻可調(diào)死區(qū)時(shí)間
●分離輸出柵極驅(qū)動(dòng)器，可調(diào)節(jié)打開和關(guān)閉驅(qū)動(dòng)器強(qiáng)度
●精確可調(diào)的驅(qū)動(dòng)器電壓和 UVLO
●低工作 I Q：5 μA（48 V輸入至 5 V輸出）
●可編程頻率（100 kHz 至 3 MHz）
●可鎖相頻率（100 kHz 至 3 MHz）
●擴(kuò)頻頻率調(diào)制
●28 引腳 (4 mm × 5 mm) 側(cè)面可濕性 QFN 封裝
 
LTC7891RUFDM#TRPBF說(shuō)明：
LTC7891 是一款高性能、降壓、DC-DC 開關(guān)穩(wěn)壓器控制器，可從高達(dá) 100V 的輸入電壓驅(qū)動(dòng)所有 N 溝道同步氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 功率級(jí)。LTC7891 解決了使用 GaN FET 時(shí)傳統(tǒng)上面臨的許多挑戰(zhàn)。與硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 解決方案相比，LTC7891 簡(jiǎn)化了應(yīng)用設(shè)計(jì)，同時(shí)不需要保護(hù)二極管和其他額外的外部組件。
 
內(nèi)部智能自舉開關(guān)可防止死區(qū)期間 BOOST 引腳到 SW 引腳高側(cè)驅(qū)動(dòng)器電源的過(guò)度充電，從而保護(hù)頂部 GaN FET 的柵極。LTC7891 在內(nèi)部?jī)?yōu)化了兩個(gè)開關(guān)沿上的柵極驅(qū)動(dòng)器時(shí)序，以實(shí)現(xiàn)智能的接近零死區(qū)時(shí)間，從而顯著提高效率并允許高頻操作，即使在高輸入電壓下也是如此。或者，用戶可以使用外部電阻器調(diào)整死區(qū)時(shí)間以獲得余量或定制應(yīng)用。
 
LTC7891 的柵極驅(qū)動(dòng)電壓可在 4V 至 5.5V 范圍內(nèi)精確調(diào)節(jié)，以優(yōu)化性能，并允許使用不同的 GaN FET，甚至邏輯電平 MOSFET。
 
請(qǐng)注意，在本數(shù)據(jù)表中，多功能引腳（例如 PLLIN/SPREAD）要么通過(guò)整個(gè)引腳名稱來(lái)引用，要么通過(guò)引腳的單個(gè)功能來(lái)引用，例如 PLLIN（當(dāng)僅與該功能相關(guān)時(shí)）。
 
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