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IPB044N15N5ATMA1 N-通道功率MOSFET
IPB044N15N5ATMA1 N-通道功率MOSFET
IPB044N15N5ATMA1 N-通道功率MOSFET
價(jià)格: ¥20.000 - ¥20.600
庫(kù)存: 3000
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數(shù)量 單價(jià) 折扣
1-99 ¥20.60 ¥0
100-999 ¥20.30 ¥0.3
>=1000 ¥20.00 ¥0.6
        
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商品咨詢(xún)
IPB044N15N5ATMA1特征:
●降低 R DS(on) 而不影響 FOM gd 和 FOM oss
●降低輸出電荷
●超低反向恢復(fù)電荷
●提高換流堅(jiān)固性
●可以提高開(kāi)關(guān)頻率
●減少并聯(lián)
●使用出色的 SuperSO8 縮小尺寸
●更高的功率密度設(shè)計(jì)
●更堅(jiān)固的產(chǎn)品
●降低系統(tǒng)成本
●改善電磁干擾行為
 
 
IPB044N15N5ATMA1說(shuō)明
英飛凌推出的 OptiMOS™5 150 V 功率 MOSFET 特別適合叉車(chē)和電動(dòng)腳踏車(chē)等低壓驅(qū)動(dòng)器以及通信和太陽(yáng)能應(yīng)用。新產(chǎn)品突破性地降低了 R DS(on)(與 SuperSO8 中的下一個(gè)理想替代品相比高達(dá) 25%)和 Q rr,而不影響 FOM gd 和 FOM OSS,從而在優(yōu)化系統(tǒng)效率的同時(shí)有效減少設(shè)計(jì)工作量。此外,超低反向恢復(fù)電荷(在 SuperSO8 中,Q rr = 26 nC)提高了換流堅(jiān)固性。
 
 
 
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