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STP55NF06 功率 MOSFET
STP55NF06 功率 MOSFET
這款功率 MOSFET 是意法半導體獨特的 "Single Feature Size?"帶基工藝的最新發展成果。由此產生的晶體管具有極高的堆積密度，導通電阻低，雪崩特性穩定，關鍵對準步驟少，因此具有顯著的制造可重復性。
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>=1000 ￥2.00 ￥1
        
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■特征：
●典型 RDS(on) = 0.015 Ω
●出色的 dv/dt 能力
●100% 通過雪崩測試
●表面貼裝 D2PAK (TO-263)
- 管式功率封裝（無后綴）或卷帶式功率封裝（后綴 "t4）
●應用
- 高電流、高開關速度
- 電機控制、音頻放大器
- DC-DC & DC-AC轉換器
- 汽車
●通孔式 i²pak (to-262) 封裝
- 管內封裝（后綴"-1）

■概要:
這款功率 MOSFET 是意法半導體獨特的 "Single Feature Size™"帶基工藝的最新發展成果。由此產生的晶體管具有極高的堆積密度，導通電阻低，雪崩特性穩定，關鍵對準步驟少，因此具有顯著的制造可重復性。
電話:+86-755-83681378 83291586 83687442
傳真:+86-755-83687442
移動電話:13424188068 
聯系QQ：800007218
聯系人:黃小姐、陳先生、陳小姐
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