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FQD1N60CTM N溝道QF ET?MOSFET 600V，1.0 a，11.5Ω
FQD1N60CTM N溝道QF ET?MOSFET 600V，1.0 a，11.5Ω
FQD1N60CTM N溝道QF ET?MOSFET 600V，1.0
a，11.5Ω
價格: ￥1.500 - ￥2.500
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100-999 ￥2.00 ￥0.5
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FQD1N60CTM
FQD1N60CTM特征：
●1A,600 V,Ros(on)=11.5Ω(Max.)@VGs=10 V,b=0.5 A
●低柵極電荷(典型值4.8nC)
●低頻率(典型3.5 pF)
●100%雪崩測試
●符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
 
FQD1N60CTM說明：
這款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET采用安森美半導(dǎo)體專有的平面條紋和DMOS技術(shù)生產(chǎn)。這種先進(jìn)的MOSFET技術(shù)已特別定制，以減少通態(tài)電阻，并提供卓越的開關(guān)性能和高雪崩能量強(qiáng)度。這些器件適用于開關(guān)模式電源、有源功率因數(shù)校正(PFC)和電子燈鎮(zhèn)流器。
 
電話:+86-755-83681378 83291586 83687442
傳真:+86-755-83687442
移動電話:13424188068 
聯(lián)系QQ：800007218
聯(lián)系人:黃小姐、陳先生、陳小姐
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