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FQA40N25 功率 MOSFET,N 溝道
FQA40N25 功率 MOSFET,N 溝道
此 N 溝道增強型功率 MOSFET 是使用平面條紋和 DMOS 專屬技術生產的。此先進 MOSFET 技術適用于降低導通電阻,提供卓越的開關性能以及高雪崩能量強度。此類器件適用于開關模式電源、有源功率系數校正 (PFC) 和電子燈鎮流器。
價格: ¥16.000 - ¥17.000
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1000-999 ¥16.00 ¥1
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FQA40N25 說明
此 N 溝道增強型功率 MOSFET 是使用平面條紋和 DMOS 專屬技術生產的。此先進 MOSFET 技術適用于降低導通電阻,提供卓越的開關性能以及高雪崩能量強度。此類器件適用于開關模式電源、有源功率系數校正 (PFC) 和電子燈鎮流器。
 
 
 
 
FQA40N25 特征
●40A, 250V, RDS(on) = 70mΩ(最大值)@VGS = 10 V, ID = 20A柵極電荷低(典型值:85nC)
●低 Crss(典型值70pF)
●100% 經過雪崩擊穿測試
●100% Avalanche Tested
FQA40N25 說明
此 N 溝道增強型功率 MOSFET 是使用平面條紋和 DMOS 專屬技術生產的。此先進 MOSFET 技術適用于降低導通電阻,提供卓越的開關性能以及高雪崩能量強度。此類器件適用于開關模式電源、有源功率系數校正 (PFC) 和電子燈鎮流器。
 
 
 
 
FQA40N25 特征
●40A, 250V, RDS(on) = 70mΩ(最大值)@VGS = 10 V, ID = 20A柵極電荷低(典型值:85nC)
●低 Crss(典型值70pF)
●100% 經過雪崩擊穿測試
●100% Avalanche Tested
FQA40N25
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