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NDS351AN N 溝道，邏輯電平
NDS351AN N 溝道，邏輯電平
此類 N 溝道邏輯電平 MOSFET 是使用 Fairchild Semiconductor 先進的 PowerTrench 工藝生產的，特別適用于最大程度降低導通電阻，同時保持卓越的開關性能。此類器件特別適用于筆記本電腦、手機、PCMCIA 卡和其他電池供電電路等低壓應用，在此類應用中需要在非常小形的表面貼裝封裝中實現快速開關和線路內低功率損耗。
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NDS351AN 說明
此類 N 溝道邏輯電平 MOSFET 是使用 Fairchild Semiconductor 先進的 PowerTrench 工藝生產的，特別適用于最大程度降低導通電阻，同時保持卓越的開關性能。此類器件特別適用于筆記本電腦、手機、PCMCIA 卡和其他電池供電電路等低壓應用，在此類應用中需要在非常小形的表面貼裝封裝中實現快速開關和線路內低功率損耗。
 
 
 
NDS351AN 特征
●1.4A, 30 V
●RDS(ON) = 160 mΩ @ VGS = 10 V
●RDS(ON) = 250 mΩ @ VGS = 4.5 V
●超低柵極電荷
●工業標準外形SOT-23表面貼裝封裝采用專有SuperSOTTM-3設計，具有優異的熱性能和電氣性能
●高性能溝道技術可實現極低的RDS(ON)
NDS351AN 說明
此類 N 溝道邏輯電平 MOSFET 是使用 Fairchild Semiconductor 先進的 PowerTrench 工藝生產的，特別適用于最大程度降低導通電阻，同時保持卓越的開關性能。此類器件特別適用于筆記本電腦、手機、PCMCIA 卡和其他電池供電電路等低壓應用，在此類應用中需要在非常小形的表面貼裝封裝中實現快速開關和線路內低功率損耗。
 
 
 
NDS351AN 特征
●1.4A, 30 V
●RDS(ON) = 160 mΩ @ VGS = 10 V
●RDS(ON) = 250 mΩ @ VGS = 4.5 V
●超低柵極電荷
●工業標準外形SOT-23表面貼裝封裝采用專有SuperSOTTM-3設計，具有優異的熱性能和電氣性能
●高性能溝道技術可實現極低的RDS(ON)
NDS351AN
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