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IKP20N60T 600 V，20 A IGBT分立，TO220封裝中帶有反并聯(lián)二極管
IKP20N60T 600 V，20 A IGBT分立，TO220封裝中帶有反并聯(lián)二極管
硬開關(guān)600 V，20 A TRENCHSTOP? IGBT3與TO220封裝中的全額定續(xù)流二極管共同封裝，由于溝槽單元和場阻概念的結(jié)合，導(dǎo)致器件的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能顯著提高。IGBT與軟恢復(fù)發(fā)射極控制二極管的組合進(jìn)一步減小了導(dǎo)通損耗。由于開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗之間的最佳折衷，達(dá)到了最高效率。
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商品咨詢
IKP20N60T 特征
●降低傳導(dǎo)損耗的最低VCEsat壓降
●低開關(guān)損耗
●由于VCEsat中的正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)切換
●非常軟、快速恢復(fù)的反并聯(lián)發(fā)射極控制二極管
●高強(qiáng)度，溫度穩(wěn)定
●低EMI發(fā)射
●低柵極電荷
●非常緊密的參數(shù)分布
 
IKP20N60T說明
硬開關(guān)600 V，20 A TRENCHSTOP™ IGBT3與TO220封裝中的全額定續(xù)流二極管共同封裝，由于溝槽單元和場阻概念的結(jié)合，導(dǎo)致器件的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能顯著提高。IGBT與軟恢復(fù)發(fā)射極控制二極管的組合進(jìn)一步減小了導(dǎo)通損耗。由于開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗之間的最佳折衷，達(dá)到了最高效率。
 
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