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FQP6N40C 功率 MOSFET,N 溝道,QFET?,400 V,6 A,1.0 ?,TO-220
FQP6N40C 功率 MOSFET,N 溝道,QFET?,400 V,6 A,1.0 ?,TO-220
此 N 溝道增強型功率 MOSFET 是使用安森美半導體的平面條紋和 DMOS 專屬技術生產的。此先進 MOSFET 技術適用于降低導通電阻,提供卓越的開關性能以及高雪崩能量強度。此類器件適用于開關模式電源、有源功率因數校正 (PFC) 和電子燈鎮流器。
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FQP6N40C特征
●6A, 400V, RDS(on) = 1.0Ω(最大值) @VGS = 10 V, ID = 3A柵極電荷低(典型值:16nC)
●低 Crss(典型值15pF)
●100% 經過雪崩擊穿測試
●100% avalanche tested
 
FQP6N40C說明
此 N 溝道增強型功率 MOSFET 是使用安森美半導體的平面條紋和 DMOS 專屬技術生產的。此先進 MOSFET 技術適用于降低導通電阻,提供卓越的開關性能以及高雪崩能量強度。此類器件適用于開關模式電源、有源功率因數校正 (PFC) 和電子燈鎮流器。
 
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傳真:+86-755-83687442
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