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IRFL024ZTRPBF 55V 單個 N 通道 HEXFET Power MOSFET
IRFL024ZTRPBF 55V 單個 N 通道 HEXFET Power MOSFET
這種HEXFE T型φ功率MOSFET采用了最新的處理技術達到極低的快速切換速度和改進的重復處理技術達到極低,本設計面積150℃,快速切換速度和改進的重復雪崩等級。這些特性結合在一起使這種設計是一種極為有效和可靠的裝置,適用于各種應用場合。
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IRFL024ZTRPBF特征
●先進工藝技術
●超低導通電阻
●150°C工作溫度
●快速切換
●允許重復雪崩達Tjmax
●無鉛
 
IRFL024ZTRPBF說明
這種HEXFE T型φ功率MOSFET采用了最新的處理技術達到極低的快速切換速度和改進的重復處理技術達到極低,本設計面積150℃,快速切換速度和改進的重復雪崩等級。這些特性結合在一起使這種設計是一種極為有效和可靠的裝置,適用于各種應用場合。
 
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