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FQP6N90C 功率 MOSFET,N 溝道,QFET?,900 V,6 A,2.3 ?,TO-220
FQP6N90C 功率 MOSFET,N 溝道,QFET?,900 V,6 A,2.3 ?,TO-220
此 N 溝道增強型功率 MOSFET 使用安森美半導體的平面條紋和 DMOS 專屬工藝生產。此先進 MOSFET 工藝適用于降低導通電阻,提供卓越的開關性能以及高雪崩能量強度。此類器件適用于開關模式電源、有源功率因數校正 (PFC) 和電子燈鎮流器。
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FQP6N90C特征
●6A, 900V, RDS(on) = 2.3Ω(最大值)@VGS = 10 V, ID = 3A柵極電荷低(典型值:30nC)
●低 Crss(典型值11pF)
●100% 經過雪崩擊穿測試"
●100% avalanche tested
 
FQP6N90C說明
此 N 溝道增強型功率 MOSFET 使用安森美半導體的平面條紋和 DMOS 專屬工藝生產。此先進 MOSFET 工藝適用于降低導通電阻,提供卓越的開關性能以及高雪崩能量強度。此類器件適用于開關模式電源、有源功率因數校正 (PFC) 和電子燈鎮流器。
 
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