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6N138SDM 8 引腳 DIP 單溝道低輸入電流,高增益分割達林頓輸出光耦合器
6N138SDM 8 引腳 DIP 單溝道低輸入電流,高增益分割達林頓輸出光耦合器
6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光耦合器包括一個與高增益分割達林頓光檢測器進行光耦合的 AlGaAs LED。 該分割達林頓配置將輸入光電二極管和第一級增益與輸出晶體管進行分離,與傳統達林頓光電晶體管光耦合器相比,可實現更低的輸出飽和電壓和更高的運行速度。在雙溝道器件 HCPL2730M/HCPL2731M 中,集成的發射極-基極電阻器在溫度范圍內提供了卓越的穩定性。0.5mA 極低輸入電流和 2000% 高電流傳輸比組合使得此系列特別適用于 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA
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6N138SDM的特征
●低電流 – 0.5 mA
●一流的 CTR-2000%
●一流的 CMR-10 kV/µs
●CTR 保證 0–70°C
●U.L. 認證(文件編號 E90700,卷 2)
●VDE 認證(待定) – 訂購選件 V,如 6N138VM
●雙通道 – HCPL2730M,HCPL2731M(即將上市)
 
 
6N138SDM的說明
6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光耦合器包括一個與高增益分割達林頓光檢測器進行光耦合的 AlGaAs LED。 該分割達林頓配置將輸入光電二極管和第一級增益與輸出晶體管進行分離,與傳統達林頓光電晶體管光耦合器相比,可實現更低的輸出飽和電壓和更高的運行速度。在雙溝道器件 HCPL2730M/HCPL2731M 中,集成的發射極-基極電阻器在溫度范圍內提供了卓越的穩定性。0.5mA 極低輸入電流和 2000% 高電流傳輸比組合使得此系列特別適用于 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 輸入接口,同時可確保到 CMOS 的輸出兼容性以及較高的扇出 TTL 要求。內部噪聲屏蔽提供卓越的 10 kV/µs 共模抑制。
 
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