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UC3842BD1R2G 高性能電流模式 PWM 控制器
UC3842BD1R2G 高性能電流模式 PWM 控制器
6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光耦合器包括一個與高增益分割達林頓光檢測器進行光耦合的 AlGaAs LED。 該分割達林頓配置將輸入光電二極管和第一級增益與輸出晶體管進行分離，與傳統(tǒng)達林頓光電晶體管光耦合器相比，可實現(xiàn)更低的輸出飽和電壓和更高的運行速度。在雙溝道器件 HCPL2730M/HCPL2731M 中，集成的發(fā)射極-基極電阻器在溫度范圍內(nèi)提供了卓越的穩(wěn)定性。0.5mA 極低輸入電流和 2000% 高電流傳輸比組合使得此系列特別適用于 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA
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UC3842BD1R2G的特征
●用于精確頻率控制的微調(diào)振蕩器
●振蕩器頻率保證為250 kHz
●電流模式操作至500 kHz
●自動前饋補償
●用于逐周期電流限制的鎖存PWM
●帶欠壓鎖定的內(nèi)部微調(diào)參考
●高電流圖騰柱輸出
●帶滯后的欠壓鎖定
●低啟動和工作電流
●提供無鉛包裝
 
 
UC3842BD1R2G的說明
6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光耦合器包括一個與高增益分割達林頓光檢測器進行光耦合的 AlGaAs LED。 該分割達林頓配置將輸入光電二極管和第一級增益與輸出晶體管進行分離，與傳統(tǒng)達林頓光電晶體管光耦合器相比，可實現(xiàn)更低的輸出飽和電壓和更高的運行速度。在雙溝道器件 HCPL2730M/HCPL2731M 中，集成的發(fā)射極-基極電阻器在溫度范圍內(nèi)提供了卓越的穩(wěn)定性。0.5mA 極低輸入電流和 2000% 高電流傳輸比組合使得此系列特別適用于 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 輸入接口，同時可確保到 CMOS 的輸出兼容性以及較高的扇出 TTL 要求。內(nèi)部噪聲屏蔽提供卓越的 10 kV/µs 共模抑制。
 
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