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- WINBOND/華邦
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STP110N8F6 N溝道80 V、0.0056 Ohm典型值、110 A STripFET F6功率MOSFET，TO-220封裝
STP110N8F6 N溝道80 V、0.0056 Ohm典型值、110 A STripFET F6功率MOSFET，TO-220封裝
該器件是使用STripFET開發的N溝道功率MOSFET? F6技術，具有新的溝槽柵結構。所得到的功率MOSFET在所有封裝中都表現出非常低的RDS（開）。
價格: ￥2.000 - ￥3.000
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商品咨詢
STP110N8F6的特征
●非常低的導通電阻
●極低柵極電荷
●高雪崩強度
●低柵極驅動功率損耗
STP110N8F6說明
該器件是使用STripFET開發的N溝道功率MOSFET™ F6技術，具有新的溝槽柵結構。所得到的功率MOSFET在所有封裝中都表現出非常低的RDS（開）。
電話:+86-755-83681378 83291586 83687442
傳真:+86-755-83687442
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聯系QQ：800007218
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