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FQP19N20C 功率 MOSFET,N 溝道,QFET?,200 V,19 A,170 m?,TO-220
FQP19N20C 功率 MOSFET,N 溝道,QFET?,200 V,19 A,170 m?,TO-220
此 N 溝道增強型功率 MOSFET 是使用 Fairchild Semiconductor 的平面條紋和 DMOS 專屬技術生產的。此先進 MOSFET 技術適用于降低導通電阻,提供卓越的開關性能以及高雪崩能量強度。此類器件適用于開關模式電源、有源功率系數校正 (PFC) 和電子燈鎮流器。
價格: ¥15.000 - ¥16.000
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FQP19N20C的特征
●19A, 200V, RDS(on) = 170mΩ(最大值)@VGS = 10 V, ID = 9.5A柵極電荷低(典型值:40.5nC)
●低 Crss(典型值85pF)
●100% 經過雪崩擊穿測試
●100% avalanche tested
 
FQP19N20C的說明
此 N 溝道增強型功率 MOSFET 是使用 Fairchild Semiconductor 的平面條紋和 DMOS 專屬技術生產的。此先進 MOSFET 技術適用于降低導通電阻,提供卓越的開關性能以及高雪崩能量強度。此類器件適用于開關模式電源、有源功率系數校正 (PFC) 和電子燈鎮流器。
 
 
 
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