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FDH45N50F 功率 MOSFET，N 溝道，UniFETTM，FRFET?，500 V，45 A，120 m?，TO-247
FDH45N50F 功率 MOSFET，N 溝道，UniFETTM，FRFET?，500 V，45 A，120 m?，TO-247
UniFETTM MOSFET 是基于平面條紋和 DMOS 技術的高壓 MOSFET 系列。此 MOSFET 適用于降低導通電阻，提供更佳的開關性能以及更高的雪崩能量強度。UniFET FRFET? MOSFET 的體二極管的反向恢復性能由于終生控制而得以提高。其 trr 小于 100nsec，反向 dv/dt 抗擾度為15V/ns，而普通 MOSFET 的這兩個指標分別為 200nsec 和4.5V/nsec 以上。因此，在 MOSFET 體二極管的性能非常重要的某些應用中，它可以消除附加組件，提高系統
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FDH45N50F的特征
●RDS(on) = 120m? （最大值）@ VGS = 10V, ID = 22.5A
●低柵極電荷（典型值 105nC）
●低 Crss（典型值 62pF）
●100% 經過雪崩擊穿測試
●提高了 dv/dt 處理能力
 
FDH45N50F的說明
UniFETTM MOSFET 是基于平面條紋和 DMOS 技術的高壓 MOSFET 系列。此 MOSFET 適用于降低導通電阻，提供更佳的開關性能以及更高的雪崩能量強度。UniFET FRFET® MOSFET 的體二極管的反向恢復性能由于終生控制而得以提高。其 trr 小于 100nsec，反向 dv/dt 抗擾度為15V/ns，而普通 MOSFET 的這兩個指標分別為 200nsec 和4.5V/nsec 以上。因此，在 MOSFET 體二極管的性能非常重要的某些應用中，它可以消除附加組件，提高系統可靠性。此器件系列適用于開關電力轉換器應用，如功率系數校正 (PFC)、平板顯示屏 (FPD) TV 電源、ATX 和電子燈鎮流器。
 
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