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FQP55N10 功率 MOSFET，N 溝道，QFET?，100 V，55 A，26 mΩ，TO-220
FQP55N10 功率 MOSFET，N 溝道，QFET?，100 V，55 A，26 mΩ，TO-220
此 N 溝道增強型功率 MOSFET 是使用安森美半導體的平面條紋和 DMOS 專屬技術生產的。此先進 MOSFET 技術特別適用于降低導通電阻，提供出色的開關性能以及高雪崩能量強度。此類器件適用于開關模式電源、音頻放大器、直流電機控制和可變開關電源應用。
價格: ￥5.000 - ￥6.000
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1-49 ￥6.00 ￥0
50-99 ￥5.50 ￥0.5
>=100 ￥5.00 ￥1
        
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FQP55N10特征：
●55A, 100V, RDS(on) = 26mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 27.5A柵極電荷低（典型值：75nC)
●低 Crss（典型值130pF)
●100% 經過雪崩擊穿測試
●175°C最大結溫額定值"
●175°C 最大結溫額定值

FQP55N10的說明
此 N 溝道增強型功率 MOSFET 是使用安森美半導體的平面條紋和 DMOS 專屬技術生產的。此先進 MOSFET 技術特別適用于降低導通電阻，提供出色的開關性能以及高雪崩能量強度。此類器件適用于開關模式電源、音頻放大器、直流電機控制和可變開關電源應用。
 
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