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BSS138 N溝道邏輯電平增強型場效應晶體管 50V，220mA
BSS138 N溝道邏輯電平增強型場效應晶體管 50V，220mA
這款N溝道增強模式MOSFET采用專有的高單元密度DMOS技術生產，用于最大限度地減少導通電阻，同時提供穩固、可靠和快速開關的性能表現。BSS138尤其適合低電壓、低電流的應用，如小型伺服電機控制、功率MOSFET柵極驅動器和其它開關應用。
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BSS138特征：
●0.22 A, 50 V. RDS(ON) = 3.5 ? @ VGS = 10 V. RDS(ON) = 6.0 ? @ VGS = 4.5 V
●高密度單元設計，實現極低的 RDS(ON)
●穩固可靠
●緊湊型工業標準SOT-23表面貼裝封裝
 
BSS138說明：
這款N溝道增強模式MOSFET采用專有的高單元密度DMOS技術生產，用于最大限度地減少導通電阻，同時提供穩固、可靠和快速開關的性能表現。BSS138尤其適合低電壓、低電流的應用，如小型伺服電機控制、功率MOSFET柵極驅動器和其它開關應用。
電話:+86-0755-84196189 
傳真:+86-0755-83687442
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