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FDN337N N溝道邏輯電平增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
FDN337N N溝道邏輯電平增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
SuperSOT?-3個(gè)N溝道邏輯電平增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管采用半導(dǎo)體專(zhuān)有的高單元密度DMOS技術(shù)生產(chǎn)。這種非常高密度的工藝特別適合最小化通態(tài)電阻。這些設(shè)備特別適用于筆記本電腦、便攜式電話(huà)、PCMCIA卡和其他電池供電電路中的低電壓應(yīng)用，在這些電路中，在非常小的外形表面貼裝封裝中需要快速切換和低在線(xiàn)功耗。
價(jià)格: ￥2.000 - ￥3.000
庫(kù)存: 82
積分: 0
數(shù)量：
數(shù)量 單價(jià) 折扣
1-99 ￥3.00 ￥0
100-999 ￥2.50 ￥0.5
>=1000 ￥2.00 ￥1
        
詳細(xì)介紹
商品屬性
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商品咨詢(xún)
FDN337N 的特性
■2.2 A，30 V
▲R-DS（開(kāi)）=0.065? @ V-GS=4.5 V
▲R-DS（開(kāi)）=0.082? @ V-GS=2.5 V。
■使用專(zhuān)有SuperSOT的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)輪廓SOT-23表面安裝封裝™-3設(shè)計(jì)具有優(yōu)越的熱性能和電氣性能。
■超低R-DS（ON）的高密度電池設(shè)計(jì)
■卓越的導(dǎo)通電阻和最大直流電流能力
 
 
FDN337N 的說(shuō)明
SuperSOT™-3個(gè)N溝道邏輯電平增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管采用半導(dǎo)體專(zhuān)有的高單元密度DMOS技術(shù)生產(chǎn)。這種非常高密度的工藝特別適合最小化通態(tài)電阻。這些設(shè)備特別適用于筆記本電腦、便攜式電話(huà)、PCMCIA卡和其他電池供電電路中的低電壓應(yīng)用，在這些電路中，在非常小的外形表面貼裝封裝中需要快速切換和低在線(xiàn)功耗。
 
 
 
FDN337N 的特性
■2.2 A，30 V
▲R-DS（開(kāi)）=0.065? @ V-GS=4.5 V
▲R-DS（開(kāi)）=0.082? @ V-GS=2.5 V。
■使用專(zhuān)有SuperSOT的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)輪廓SOT-23表面安裝封裝™-3設(shè)計(jì)具有優(yōu)越的熱性能和電氣性能。
■超低R-DS（ON）的高密度電池設(shè)計(jì)
■卓越的導(dǎo)通電阻和最大直流電流能力
 
 
FDN337N 的說(shuō)明
SuperSOT™-3個(gè)N溝道邏輯電平增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管采用半導(dǎo)體專(zhuān)有的高單元密度DMOS技術(shù)生產(chǎn)。這種非常高密度的工藝特別適合最小化通態(tài)電阻。這些設(shè)備特別適用于筆記本電腦、便攜式電話(huà)、PCMCIA卡和其他電池供電電路中的低電壓應(yīng)用，在這些電路中，在非常小的外形表面貼裝封裝中需要快速切換和低在線(xiàn)功耗。
 
 
 
電話(huà):+86-755-83681378 83291586 83687442
傳真:+86-755-83687442
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