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SN74LVC1G08DCRR 低功耗單路
SN74LVC1G08DCRR 低功耗單路
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SN74LVC1G08DCRR特征：
●采用具有 0.5mm 間距的超小型 0.64mm2 封裝 (DPW)
●低靜態功耗：
ICC = 0.9μA（最大值）
●低動態功耗：
電壓為 3.3V 時，Cpd = 4.3pF（典型值）
●低輸入電容：Ci = 1.5pF（典型值）
●低噪聲：過沖和下沖
< VCC 的 10%
●Ioff 支持帶電插入、局部關斷模式和后驅動保護
●施密特觸發操作可在輸入端實現慢速輸入轉換和更佳的開關噪聲抗擾度（Vhys=250mV，這是 3.3V 時的典型值）
●0.8V 至 3.6V 的寬工作 VCC 范圍
●針對 3.3V 運行進行了優化
●3.6V 耐壓 I/O 支持混合模式的信號操作
●3.3V 時，tpd = 4.3ns（最大值）
●適用于點到點應用
●閂鎖性能超過 100mA，符合 JESD 78 II 類規范的要求
●ESD 性能測試符合 JESD 22 標準
2000V 人體放電模型
（A114-B，II 類）
1000V 充電器件模型 (C101)
 
SN74LVC1G08DCRR特征：
●采用具有 0.5mm 間距的超小型 0.64mm2 封裝 (DPW)
●低靜態功耗：
ICC = 0.9μA（最大值）
●低動態功耗：
電壓為 3.3V 時，Cpd = 4.3pF（典型值）
●低輸入電容：Ci = 1.5pF（典型值）
●低噪聲：過沖和下沖
< VCC 的 10%
●Ioff 支持帶電插入、局部關斷模式和后驅動保護
●施密特觸發操作可在輸入端實現慢速輸入轉換和更佳的開關噪聲抗擾度（Vhys=250mV，這是 3.3V 時的典型值）
●0.8V 至 3.6V 的寬工作 VCC 范圍
●針對 3.3V 運行進行了優化
●3.6V 耐壓 I/O 支持混合模式的信號操作
●3.3V 時，tpd = 4.3ns（最大值）
●適用于點到點應用
●閂鎖性能超過 100mA，符合 JESD 78 II 類規范的要求
●ESD 性能測試符合 JESD 22 標準
2000V 人體放電模型
（A114-B，II 類）
1000V 充電器件模型 (C101)
 
電話:+86-755-83681378 83291586 83687442
傳真:+86-755-83687442
移動電話:13424188068 
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